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扩散硅、陶瓷、电容、单晶硅压力传感器区别详解

2026-01-20

扩散硅、陶瓷、电容、单晶硅压力传感器区别详解

压力传感器是工业自动化领域的核心元件,广泛应用于石油化工、液压系统、水利、制药及航空航天等行业。根据敏感元件和工作原理的不同,主流压力传感器主要包括扩散硅(压阻式扩散硅)、陶瓷压阻、陶瓷电容以及单晶硅四大类。它们在测量精度、温度稳定性、成本、抗过载能力和量程范围等方面存在明显差异。

本文将系统对比这四类压力传感器的工作原理、关键性能指标、优缺点及典型应用场景,帮助工程师快速、准确地完成选型。

工作原理对比

1. 扩散硅压力传感器(充油型压阻式)

压力通过不锈钢隔离膜片和硅油传递至扩散硅芯片,芯片上扩散形成的压敏电阻构成惠斯通电桥。受压后电阻发生变化,输出毫伏级信号。

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2. 陶瓷压阻压力传感器

在陶瓷基板(通常为氧化铝)上直接印刷厚膜电阻,形成压阻桥路。压力作用下陶瓷膜片发生形变,引起电阻变化并输出信号。该结构为干式设计,无硅油填充。

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3. 陶瓷电容压力传感器(差压/小量程主流)

陶瓷膜片与固定电极形成可变电容结构,压力导致膜片位移,从而引起电容值变化,并转换为4–20mA等标准信号。结构通常为干式或部分填充惰性介质。

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4. 单晶硅压力传感器(高精度压阻式)

采用高纯度单晶硅芯片,通过MEMS工艺集成高精度压敏电阻桥。多数为充油隔离结构,部分高端型号支持表压、绝压和差压测量。

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性能对比表(关键指标)

项目扩散硅(充油)陶瓷压阻陶瓷电容单晶硅(高性能)
工作原理压阻式(硅芯片)压阻式(陶瓷厚膜)电容式(陶瓷膜片)压阻式(单晶硅芯片)
精度0.1%–0.25% FS0.25%–0.5% FS0.075%–0.15% FS0.05%–0.1% FS
温度稳定性中等(需补偿)优秀(-40~135℃)极佳优秀
量程范围中~高量程中~超大量程小~中量程(差压优势明显)中~高量程
抗过载能力优秀(200%–1000%)一般~优秀一般(10–50倍)优秀
长期稳定性良好优秀极佳极佳
成本中等低~中等中等~高
介质兼容性需隔离膜片陶瓷直触(耐腐蚀)陶瓷直触(耐腐蚀)需隔离膜片
典型应用工业过程、液压系统通用工业、水处理差压、小量程、洁净环境高精度过程控制、差压测量

结语

扩散硅、陶瓷、电容和单晶硅压力传感器各有侧重,没有绝对优劣,只有最适合的应用场景。深入理解它们的核心差异,有助于在成本、性能和可靠性之间取得最佳平衡。随着MEMS技术和材料科学的不断发展,压力传感器正朝着更高精度、更宽温区和更强环境适应性的方向持续演进。

如果您有具体应用需求(如量程、介质或精度要求),欢迎进一步交流,探讨最合适的压力传感器解决方案。

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